온세미, 첨단 전력반도체 위한 SiC 생산 거점으로 체코 선정

온세미는 체코에 최첨단 수직 통합 실리콘 카바이드(SiC) 제조 시설을 설립한다고 20일 밝혔다.

해당 시설에서는 전기차, 재생 에너지, 인공지능(AI) 데이터센터와 같은 애플리케이션의 에너지 효율을 개선하는 데 필수적인 온세미의 지능형 전력 반도체를 생산하게 된다.

이는 에너지 변환과 관리를 최적화할 수 있는 첨단 전력 반도체에 대한 전례 없는 수요를 융합하고 대응하기 위해서라고 회사측은 설명했다.

하산 엘 코우리(Hassane El-Khoury) 온세미 CEO는 “우리의 브라운필드 투자는 중부 유럽 공급망을 구축해 애플리케이션의 에너지 효율을 개선하는 혁신 기술에 대한 고객의 급증하는 수요에 더 나은 서비스를 제공할 수 있을 것”이며 “체코 정부와의 긴밀한 협력을 통해 탄소 배출량과 환경 영향을 크게 줄이려는 유럽연합의 야망을 달성하는 데 필수적인 지능형 전력 반도체 생산을 강화한다”고 말했다.

온세미는 향후 수 년에 걸쳐 최대 20억 달러의 브라운필드 투자를 통해 SiC 제조를 확장해 나갈 예정이다. 이번 투자는 실리콘 결정 성장, 실리콘 및 SiC 웨이퍼 제조(폴리싱 및 EPI), 실리콘 웨이퍼 팹 등 현재 체코에서 운영 중인 온세미의 사업을 기반으로 한다. 해당 시설은 현재 10억개 이상의 전력 디바이스를 포함하여 연간 300만개 이상의 웨이퍼를 생산할 수 있다.

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