삼성전자, 지난해 시설투자 53조1000억…반도체가 91% 차지

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평택 투자 및 HBM/DDR5 등 첨단공정 생산 능력 확대

서울 서초동 삼성서초사옥 앞에서 삼성 깃발이 휘날리고 있다. ⓒ데일리안 DB 서울 서초동 삼성서초사옥 앞에서 삼성 깃발이 휘날리고 있다. ⓒ데일리안 DB

삼성전자가 4분기에 16조4000억원 규모의 시설 투자를 단행했다. 사업별로는 DS(반도체)가 14조9000억원, 디스플레이 8000억원 수준이다.

2023년 연간으로는 지난해와 동일한 수준인 53조1000억원이며 DS 48조4000억원, 디스플레이 2조4000원 수준이 집행됐다.

메모리의 경우 4분기에도 중장기 수요 대응을 위한 클린룸 확보 목적의 평택 투자, 기술 리더십 강화를 위한 R&D 투자 확대와 함께 HBM/DDR5 등 첨단공정 생산 능력 확대를 위한 투자가 지속됐다.

파운드리는 EUV(극자외선)를 활용한 5나노 이하 첨단공정 생산 능력 확대와 미래 수요 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자로 전년 대비 연간 투자가 증가했다.

디스플레이는 OLED(유기발광다이오드) 및 플렉시블 제품 대응 중심으로 투자가 집행됐다.

삼성전자는 앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 R&D 투자를 꾸준히 이어갈 방침이다.

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