‘HBM’ 자신감 드러낸 경계현 사장…”삼성 반도체로 AI 비전 실현”

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[아이뉴스24 권용삼 기자] 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장(사장)이 자사 고대역폭메모리(HBM) 제품에 대한 자신감을 드러냈다.

네덜란드 방문을 마친 경계현 삼성전자 사장이 지난해 12월 15일 오전 서울 김포공항 비즈니스센터를 통해 귀국하며 취재진의 질문에 답하고 있는 모습. [사진=권용삼 기자]

경 사장은 15일 자신의 사회관계망서비스(SNS)을 통해 “인공지능(AI)과 강력한 시너지를 내는 사업에 종사하는 것은 정말 신나는 일”이라며 “HBM3E 샤인볼트와 같은 삼성전자 반도체 제품은 생성형 AI 애플리케이션의 속도와 효율성을 크게 향상 시킬 준비가 돼 있다”고 밝혔다.

그러면서 경 사장은 “우리 엔지니어는 스마트워치, 모바일, 엣지 장치, 클라우드에 이르는 포괄적인 AI 아키텍처와 미래에 필요한 고급 AI 솔루션을 예측하기 위해 노력 중”이라며 “빠르게 진화하는 이 시대가 우리를 어디로 이끌든 당황하지 말라. 삼성 반도체가 AI 비전을 현실로 만드는 데 필요한 솔루션을 제공할 것”이라고 덧붙였다.

HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다. 업계에선 최근 급격히 뜨고 있는 AI를 뒷받침할 필수적인 메모리로 주목 받고 있다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있으며 현재 ‘HBM3’를 포함한 전체 HBM 시장은 경쟁사인 SK하이닉스가 앞서고 있는 상황이다.

‘샤인볼트(Shinebolt)’는 삼성전자의 5세대 고대역폭메모리 ‘HBM3E’의 제품명이다. 앞서 삼성전자는 지난해 10월 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘메모리 테크 데이’ 행사에서 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 HBM3E D램 샤인볼트를 처음 선보인 바 있다.

경 사장이 이날 ‘HBM3E’를 직접 언급한 것은 차세대 제품을 통해 HBM 시장 주도권을 가져오겠다는 의지를 내비친 것으로 풀이된다. 이를 위해 삼성전자는 올해 HBM 설비투자 규모를 지난해보다 2.5배 이상 늘린다는 방침이다. HBM3E에 이어 다음 세대 제품인 HBM4에서도 시장 경쟁력을 키운다는 전략이다.

앞서 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 지난해 4분기 실적발표 후 컨퍼런스콜에서 “주요 고객사에 HBM3E 8단(D램 8개를 수직 적층) 샘플 제품을 공급했으며 올해 상반기 내에 양산 준비가 완료될 예정”이라며 “HBM4의 경우 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중”이라고 밝힌 바 있다.

한편 경계현 사장은 오는 26일부터 스페인 바로셀로나에서 열리는 세계 최대 이동통신 전시회 ‘MWC 2024’를 찾아 AI 반도체 관련 고객사들과 비즈니스 미팅을 진행할 전망이다. 또 22일 방한하는 짐 켈러 텐스토렌트 최고경영책임자(CEO)와도 만나 AI 반도체 협력을 논의할 것으로 보인다. 앞서 짐 켈러 CEO는 지난해 11월 ‘삼성 AI 포럼’ 당시 기조연설을 위해 한국을 찾은 바 있다.

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