“HBM, 올해 말 선단 공정 투입 웨이퍼의 35% 차지”

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트렌드포스 보고서 “수익성·수요 증가 이유로 HBM 생산 우선시”

SK하이닉스 HBM2E ⓒ연합뉴스 SK하이닉스 HBM2E ⓒ연합뉴스

올해 하반기에 고대역폭 메모리(HBM)가 메모리 반도체 D램의 선단 공정 웨이퍼 투입량의 35%를 차지할 것이라는 전망이 나왔다.

20일 대만 시장조사업체 트렌드포스는 3대 D램 공급사로 꼽히는 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 선단 공정용 웨이퍼 투입을 늘리고 있지만, 수익성과 수요 증가를 이유로 HBM 생산이 앞설 것이라고 이같이 전망했다.

4세대 HBM인 HBM3E 생산이 급증하는 가운데 각사 실리콘관통전극(TSV) 용량을 기준으로 연말까지 HBM은 선단 공정 웨이퍼 투입량의 35%에 이를 것으로 트렌드포스는 예측했다.

다만 HBM 생산 능력이 집중되면서 증설이 충분하게 이뤄지지 않으면 D램 공급 부족 현상이 일어날 수 있다고 전망했다.

트렌드포스는 “올해 안에 HBM3E가 HBM 시장의 주류로 자리 잡으면서 하반기에 출하량이 집중될 가능성이 있다”며 “메모리 성수기와 맞물려 하반기에 DDR5, LPDDR5(X) 등에 대한 시장 수요도 증가할 것”이라고 예상했다.

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