[AP신문 = 배두열 기자] 삼성전자가 세계 최초로 12나노급 공정의 5세대 D램 양산에 돌입했다. 메모리 반도체 불황 타개는 물론, 미세 공정 한계를 돌파한 기술 초격차를 통해 차세대 D램 시장 주도권 경쟁에서 한 발 앞서게 됐다는 분석이다.
삼성전자는 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다.
삼성전자 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용함으로써, 전(前) 세대 제품 대비 생산성과 소비 전력이 각각 약 20%, 23% 향상됐다. 특히, 소비 전력 개선으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어, 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 이로 인해 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 적극 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에게 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
이와 함께, 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다.
또 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용해 업계 최선단 공정을 완성했다.
삼성전자는 DDR5 규격의 12나노급 D램이 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다고 설명했다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도로다.
삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터ㆍ인공지능(AI)ㆍ차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급한다는 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다”며, “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.
