[데일리임팩트 황재희 기자] 삼성전자가 차세대 D램에서 초격차 기술로 시장 선점에 나선다. 올 연말 6세대 10㎚(나노미터·10억분의 1m) D램 양산을 앞둔 가운데 7세대 D램 개발을 목표로 원팀을 구성해 기술 격차에 보다 속도를 낼 계획이다.
8일 업계에 따르면 삼성전자는 7세대 10나노급 D램 기술개발을 진행중인 가운데 인적자원을 결집한 원팀을 결성하기로 했다.
삼성전자가 지난해 5월 5세대 10나노급 D램 양산을 시작한 후 올 연말 6세대 10나노급 D램을 양산을 본격화하는 것을 고려하면 7세대 D램 준비는 빠르다고 할 수 없다.
다만 삼성전자의 차세대 반도체 양산 로드맵을 고려하면 7세대 10나노급 D램 양산은 2026년이다. 아직 2년여의 시간이 남아 있는 점에서 미리 전담팀을 선제적으로 구성했다는 점은 예사롭지 않다.
업계 관계자는 “최근 삼성전자는 HBM 전담팀을 구성했는데 이와 별도로 원팀을 구성했다면 차세대 D램에서 기술 리더십을 조기 확보하겠다는 의지가 그만큼 강력하다는 것”이라고 말했다.
현재 삼성전자는 최근 인공지능(AI)칩으로 불리는 고대역폭메모리(HBM) 경쟁에서 SK하이닉스에 속도에서 밀리며 기술 초격차를 증명해야 할 시점이라는 게 업계 시각이다.
HBM은 D램 완제품을 여러개 높이 쌓아올려 만드는 만큼 부품의 주 재료가 되는 D램의 원천 기술력에서 경쟁사보다 앞서지 않으면 차세대 HBM 시장 주도권도 뺏어올 수 없어서다.
다만 D램은 아직 삼성전자가 경쟁사에 앞선다. 대만 시장조사업체 트랜스포스에 따르면 지난해 4분기 D램 시장은 삼성전자가 45.5%로 하이닉스(31.8%)에 비해 우위를 달리고 있다.
문제는 SK하이닉스가 6세대 10나노급 D램을 삼성전자보다 앞선 올 3분기에 내놓겠다고 밝혀 또 한번 삼성전자가 속도에서 뒤쳐지게 됐다는 점이다.
삼성전자로선 6세대 다음인 7세대 10나노급 D램 개발에 전사 역량을 다해 경쟁사보다 먼저 내놓아야 할 과제가 주어졌다. 이번 원팀 구성도 이같은 배경에서 나온 전략으로 풀이된다.
특히 7세대 10나노급 D램은 극자외선(EUV) 노광 기술 기반 제품으로 공정 과정이 한층 까다로워질 전망이다. 삼성전자는 지난 2021년부터 1aD램을 양산하며 EUV 기술을 적용해 왔는데 7세대에는 9개층에 EUV가 적용될 것으로 알려졌다.
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